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DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2
二極體 650 V 11A 表面黏著式 TO-252-2
SiC (Silicon Carbide) Schottky
11A
無恢復時間 > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 650 V
155pF @ 0V、1MHz
表面黏著式
TO-252-3、DPAK (2 引線 + 接片)、SC-63
TO-252-2
-55°C ~ 175°C
Wolfspeed, Inc.
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